прибор с каналом в подложке

См. также в других словарях:

• ПРИБОР С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ — (ПЗС) интегральная схема, представляющая собой совокупность МДП структур, сформированных на общей полупроводниковой подложке т. о., что полоски электродов образуют линейную или матричную регулярную структуру. Расстояния между соседними… …   Физическая энциклопедия

• Полевой транзистор — Полевой транзистор (англ. field effect transistor, FET) полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе… …   Википедия

• Униполярный транзистор — Полевой транзистор полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда… …   Википедия

• ТРАНЗИСТОР — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем, где их размеры не… …   Энциклопедия Кольера

• Графен — Пожалуйста, актуализируйте данные В этой статье данные предоставлены преимущественно за 2007 2008 гг …   Википедия

• Подготовка — 5. Подготовка* Преобразование принятых сигналов согласно настоящему стандарту в форму, которая позволяет измерять, обрабатывать или выдавать информации (например усиление, преобразование в код) Источник …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

• Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) — Транзистор с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной… …   Википедия

• Транзистор с высокой подвижностью электронов — (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной зоны (т. н. гетеропереход)[1].… …   Википедия